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一种高温碳化硅双室热壁式外延生长装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-02, 2010-08-12
发明人:  孙国胜;  王 雷;  赵万顺;  曾一平;  叶志仙;  刘兴昉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu XL (Hu Xiao-Long);  Zhang JY (Zhang Jiang-Yong);  Shang JZ (Shang Jing-Zhi);  Liu WJ (Liu Wen-Jie);  Zhang BP (Zhang Bao-Ping);  Zhang, BP, Xiamen Univ, Dept Phys, Lab Micronano Optoelect, Xiamen 361005, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu NH (Zhu Ning Hua);  Xu GZ (Xu Gui Zhi);  Hofmann W (Hofmann Werner);  Chen W (Chen Wei);  Bohm G (Boehm Gerhard);  Liu;  Y (Liu Yu);  Wang X (Wang Xin);  Xie L (Xie Liang);  Amann MC (Amann Markus-Christian);  Zhu, NH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: nhzhu@semi.ac.cn;  gzxu@semi.ac.cn;  werner.hofmann@wsi.tum.de;  wchen@semi.ac.cn;  Gerhard.Boehm@wsi.tum.de;  yliu@semi.ac.cn;  wxin@semi.ac.cn;  xiel@semi.ac.cn;  amann@wsi.tum.de
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