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| 一种氮化物薄膜外延生长的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 3996 发明人: 闫发旺; 高海永; 张 扬; 张会肖; 李晋闽; 曾一平; 王国宏 Adobe PDF(443Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1483/265  |  提交时间:2010/03/19 |
| 倒装双结铟镓氮太阳能电池结构 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 杨翠柏; 肖红领; 胡国新; 冉学军; 王翠梅; 张小宾; 李晋闽 Adobe PDF(676Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1583/220  |  提交时间:2009/06/11 |
| 用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 闫发旺; 高海永; 樊中朝; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 王军喜; 张扬 Adobe PDF(556Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1779/269  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 闫发旺; 高永海; 张扬; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖 Adobe PDF(526Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1692/272  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Li F (Li Feng); Li XQ (Li Xin-Qi); Zhang WM (Zhang Wei-Min); Gurvitz SA (Gurvitz S. A.); Li, F, Chinese Acad Sci, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: Shmuel.Gurvitz@weizmann.ac.il Adobe PDF(255Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1058/257  |  提交时间:2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Song GF (Song Guo-Feng); Zhang Y (Zhang Yu); Guo BS (Guo Bao-Shan); Wang WM (Wang Wei-Min); Song, GF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sgf@semi.ac.cn Adobe PDF(229Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1063/257  |  提交时间:2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Wang Yanshuo; Chen Nuofu; Zhang Xingwang; Yang Xiaoli; Bai Yiming; Cui Min; Wang Yu; Chen Xiaofeng; Huang Tianmao Adobe PDF(637Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1490/530  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Cui Min; Chen Nuofu; Yang Xiaoli; Wang Yu; Bai Yining; Zhang Xingwang Adobe PDF(399Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1528/530  |  提交时间:2010/11/23 |