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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [16]
作者
汪宇 [1]
尹志岗 [1]
张兴旺 [1]
文献类型
期刊论文 [10]
专利 [3]
会议论文 [3]
发表日期
2009 [16]
语种
英语 [10]
中文 [6]
出处
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发表日期:2009
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在金属衬底上生长ZnO薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
崔军朋
;
段垚
;
王晓峰
;
曾一平
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浏览/下载:1363/216
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提交时间:2009/06/11
在Si衬底上生长ZnO薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
崔军朋
;
段垚
;
王晓峰
;
曾一平
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浏览/下载:1326/201
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提交时间:2009/06/11
氧化物的化学气相沉积制备装置及制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
段垚
;
王晓峰
;
崔军朋
;
曾一平
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浏览/下载:1468/176
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang H
;
Zhu HL
;
Jia LH
;
Chen XF
;
Kong DH
;
Wang LS
;
Zhang W
;
Zhao LJ
;
Wang W
;
Wang H Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: whuan2l@semi.ac.cn
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浏览/下载:986/240
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Du GX
;
Babu MR
;
Han XF
;
Deng JJ
;
Wang WZ
;
Zhao JH
;
Wang WD
;
Tang JK
;
Han XF Chinese Acad Sci Inst Phys Beijing Natl Lab Condensed Matter Phys State Key Lab Magnetism POB 603 Beijing 100080 Peoples R China. E-mail Address: xfhan@aphy.iphy.ac.cn
;
jhzhao@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1068/262
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提交时间:2010/03/08
Tunneling magnetoresistance in (Ga,Mn)As/Al-O/CoFeB hybrid structures
会议论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, Austin, TX, NOV 11-14, 2008
作者:
Du GX
;
Babu MR
;
Han XF
;
Deng JJ
;
Wang WZ
;
Zhao JH
;
Wang WD
;
Tang JK
;
Han, XF, Chinese Acad Sci, Inst Phys, Beijing Natl Lab Condensed Matter Phys, State Key Lab Magnetism, POB 603, Beijing 100080, Peoples R China.
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浏览/下载:2270/441
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提交时间:2010/03/09
Spin Injection
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang Y
;
Chen NF
;
Zhang XW
;
Chen XF
;
Yang XL
;
Yin ZG
;
Bai YM
;
Wang Y Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: ywang@semi.ac.cn
;
nfchen@semi.ac.cn
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浏览/下载:1125/342
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Han XB
;
Kou LZ
;
Lang XL
;
Xia JB
;
Wang N
;
Qin R
;
Lu J
;
Xu J
;
Liao ZM
;
Zhang XZ
;
Shan XD
;
Song XF
;
Gao JY
;
Guo WL
;
Yu DP
;
Guo, WL, Nanjing Univ Aeronaut & Astronaut, Inst Nanosci, Nanjing 210016, Peoples R China. E-mail Address: wlguo@nuaa.edu.cn
;
yudp@pku.edu.cn
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浏览/下载:1276/499
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提交时间:2010/04/04
In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:
Sun, GS
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Liu, XF
;
Ji, G
;
Zeng, YP
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1836/274
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提交时间:2010/03/09
In-situ Doping
Boron
Aluminum
Memory Effects
Hot-wall Lpcvd
4h-sic
Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Li, JY
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:2027/307
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提交时间:2010/03/09
Silicon Carbide
Aluminum Nitride
Buffer Layer
Lpcvd