SEMI OpenIR
(本次检索基于用户作品认领结果)

浏览/检索结果: 共4条,第1-4条 帮助

限定条件            
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  金鹏;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王智杰;  王占国
Adobe PDF(527Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1732/236  |  提交时间:2009/06/11
砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵超;  徐波;  陈涌海;  金鹏;  王占国
Adobe PDF(520Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1501/225  |  提交时间:2009/06/11
一种量子点材料结构及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  焦玉恒;  吴巨;  徐波;  金鹏;  王占国
Adobe PDF(710Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1478/191  |  提交时间:2009/06/11
Evolution of wetting layers in InAs/GaAs quantum-dot system studied by reflectance difference spectroscopy 会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:  Chen YH;  Tang CH;  Xu B;  Jin P;  Wang ZG;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(2531Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1496/187  |  提交时间:2010/03/09
Inas