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中国科学院半导体研究所机构知识库
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发表日期:2007
作者:金鹏
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一种大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
于理科
;
徐波
;
王占国
;
金鹏
;
赵昶
;
张秀兰
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提交时间:2009/06/11
一种亚分子单层量子点激光器材料的外延生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
于理科
;
徐波
;
王占国
;
金鹏
;
赵昶
;
张秀兰
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao C
;
Chen YH
;
Xu B
;
Jin P
;
Wang ZG
;
Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yhchen@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lei W
;
Wang YL
;
Chen YH
;
Jin P
;
Ye XL
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Lei, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wen.lei@uni-due.de
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提交时间:2010/03/29