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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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发表日期:2006
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一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵建华
;
邓加军
;
毕京峰
;
牛智川
;
杨富华
;
吴晓光
;
郑厚植
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浏览/下载:1349/141
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提交时间:2009/06/11
无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵建华
;
蒋春萍
;
郑厚植
;
邓加军
;
杨富华
;
牛智川
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浏览/下载:1294/184
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提交时间:2009/06/11
一种基于半导体光存储器单元的光探测器和光摄像单元
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
郑厚植
;
李桂荣
;
杨富华
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浏览/下载:1430/165
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen HB (Chen Haibo)
;
Li ZF (Li Zhaofeng)
;
Chen JJ (Chen Jianjun)
;
Liu W (Liu Wei)
;
Yang FH (Yang Fuhua)
;
Feng SL (Feng Songlin)
;
Zheng HZ (Zheng Houzhi)
;
Chen, HB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: hbchen@semi.ac.cn
;
fhyang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(531Kb)
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浏览/下载:1136/283
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Hu B (Hu Bing)
;
Zhou X (Zhou Xia)
;
Tang Y (Tang Yan)
;
Gan HD (Gan Huadong)
;
Zhu H (Zhu Hui)
;
Li GR (Li Guirong)
;
Zheng HZ (Zheng Houzhi)
;
Hu, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: hubing@red.semi.ac.cn
;
hzzheng@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1146/319
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提交时间:2010/04/11
Optical and electrical investigation of low dimensional self-assembled InAs quantum dot field effect transistors
会议论文
International Journal of Nanoscience丛书标题: International Journal of Nanoscience Series, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 24-27, 2004
作者:
Zeng, YX (Zeng, Yuxin)
;
Liu, W (Liu, Wei)
;
Yang, FH (Yang, Fuhua)
;
Xu, P (Xu, Ping)
;
Tan, PH (Tan, Pingheng)
;
Zheng, HZ (Zheng, Houzhi)
;
Zeng, YP (Zeng, Yiping)
;
Xing, YJ (Xing, Yingjie)
;
Yu, DP (Yu, Dapeng)
;
Zeng, YX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1726/264
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提交时间:2010/03/29
Inas Quantum Dot
Photoluminescence
Modulation-doped
Field Effect Transistor
Mu-m
Capping Layer