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降低磷离子注入（0001）取向的4H-碳化硅电阻率的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  高欣;  孙国胜;  李晋闽;  王雷;  赵万顺
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵谦;  潘教青;  张靖;  周帆;  王宝军;  王鲁峰;  边静;  安欣;  赵玲娟;  王圩
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