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制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  潘教青;  赵谦;  王圩;  朱洪亮
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基于级联电吸收调制器产生超短光脉冲的测试夹具及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵谦;  潘教青;  王圩
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1.3微米高密度量子点结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  方志丹;  倪海桥;  韩勤;  龚政;  张石勇;  佟存柱;  彭红玲;  吴东海;  赵欢;  吴荣汉
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一种产生超短光脉冲的单片集成器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵谦;  潘教清;  周帆;  王宝军;  王圩
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基于电吸收调制器光开关技术产生超短光脉冲的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  潘教清;  赵谦;  王圩
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao Q;  Pan JQ;  Zhang J;  Zhou GT;  Wu J;  Zhou F;  Wang BJ;  Wang LF;  Wang W;  Zhao, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: qzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao H;  Xu YQ;  Ni HQ;  Zhang SY;  Han Q;  Du Y;  Yang XH;  Wu RH;  Niu ZC;  Zhao, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlatt & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhaohuan@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng W (Feng W.);  Ding Y (Ding Y.);  Pan JQ (Pan J. Q.);  Zhao LJ (Zhao L. J.);  Zhu HL (Zhu H. L.);  Wang W (Wang W.);  Feng, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wfeng@semi.ac.cn
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Si 与InP 键合研究及Si 基InGaAsP 激光器的研制 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:  赵洪泉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan JQ (Pan Jiao-Qing);  Zhao Q (Zhao Qian);  Zhu HL (Zhu Hong-Liang);  Zhao LJ (Zhao Ling-Juan);  Ding Y (Ding Ying);  Wang BJ (Wang Bao-Jun);  Zhou F (Zhou Fan);  Wang LF (Wang Lu-Feng);  Wang W (Wang Wei);  Pan, JQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Optoelect Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jqpan@red.semi.ac.cn
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