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| 一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 冉军学; 李建平; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(335Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1350/193  |  提交时间:2009/06/11 |
| 改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 王翠梅; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平 Adobe PDF(627Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1280/179  |  提交时间:2009/06/11 |
| 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 王翠梅; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(830Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1068/142  |  提交时间:2009/06/11 |
| 提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王翠梅; 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平 Adobe PDF(656Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1086/153  |  提交时间:2009/06/11 |
| 铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-02-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 王翠梅; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(411Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1164/183  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Wang BZ (Wang Bao-Zhu); Wang XL (Wang Xiao-Liang); Hu GX (Hu Guo-Xin); Ran JX (Ran Jun-Xue); Wang XH (Wang Xin-Hua); Guo LC (Guo Lun-Chun); Xiao HL (Xiao Hong-Ling); Li JP (Li Jian-Ping); Zeng YP (Zeng Yi-Ping); Li JM (Li Jin-Min); Wang ZG (Wang Zhan-Guo); Wang, BZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wangbz@semi.ac.cn Adobe PDF(236Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1004/266  |  提交时间:2010/04/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 胡小凤; 黎晓新; 吴慧娟; 陈品华; 曹晓光; 徐秀兰; 刘国栋; 李春安; 裴为华; 陈弘达; 隋晓红; 刘金彬 Adobe PDF(382Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1601/508  |  提交时间:2010/11/23 |