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| 全角度反射镜结构GaN基发光二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 许兴胜; 杜伟; 陈弘达
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| 生长氧化物薄膜的金属有机物化学气相沉积反应室结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 丛光伟; 刘祥林; 董向芸; 魏宏源; 王占国
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| 半导体薄片材料的横向研磨方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈弘达; 裴为华
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| 硅纳米线的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 曾湘波; 廖显伯; 刁宏伟; 向贤碧; 孔光临; 徐艳月
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| 紫外激光写入制备高折射率差二氧化硅波导的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 夏君磊; 吴远大; 安俊明; 郜定山; 李健; 龚春娟; 胡雄伟
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| 平板式电极结构 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-02-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刁宏伟; 廖显伯; 曾湘波; 郝会颖; 徐艳月; 张世斌; 胡志华
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhao DG (Zhao D. G.); Jiang DS (Jiang D. S.); Yang H (Yang Hui); Zhu JJ (Zhu J. J.); Liu ZS (Liu Z. S.); Zhang SM (Zhang S. M.); Liang JW (Liang J. W.); Hao XP (Hao X. P.); Wei L (Wei L.); Li X (Li X.); Li XY (Li X. Y.); Gong HM (Gong H. M.); Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dgzhao@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 杜伟; 许兴胜 ; 韩伟华; 王春霞; 张杨; 杨富华; 陈弘达
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 杜伟; 许兴胜; 孙增辉; 鲁琳; 高俊华; 赵致民; 王春霞; 陈弘达
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张燕; 龚海梅; 白云; 陈亮; 许金通; 汤英文; 游达; 赵德刚; 郭丽伟; 李向阳
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