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一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张南红;  王晓亮;  曾一平;  肖红领;  王军喜;  刘宏新;  李晋闽
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生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  肖红领;  王晓亮;  王军喜;  张南红;  刘宏新;  曾一平
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倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨辉;  张书明;  王良臣
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偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-05-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王书荣;  王圩;  刘志宏;  张瑞英;  朱洪亮;  王鲁蜂
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光纤陀螺用单片集成波导型光收发芯片及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵玲娟;  张靖;  朱洪亮;  王圩;  周帆;  王宝军;  边静;  王鲁峰
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渐变带隙的铟镓砷材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-01-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王书荣;  王圩;  朱洪亮;  张瑞英;  边静
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, GF;  Li, SS;  Liang, JQ;  Zhang, GF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gf1978zhang2001@yahoo.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang GF;  Li SS;  Liang HQ;  Zhang, GF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gf1978zhang2001@yahoo.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang GF;  Liang JQ;  Zhang GE;  Yan QW;  Zhang, GF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gf1978zhang2001@yahoo.com
Adobe PDF(302Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：735/261  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘超;  张尚剑;  谢亮;  祝宁华
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