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生长高阻氮化镓外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  冉军学;  曾一平;  李晋闽
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高效硅基共振腔增强型探测器器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-08-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李传波;  毛容伟;  左玉华;  成步文;  余金中;  王启明
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硅基高量子效率共振腔增强型探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  毛容伟;  滕学公;  李传波;  左玉华;  罗丽萍;  成步文;  于金中;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  An JM;  Li J;  Xia JL;  Gao DS;  Wu YD;  Li JG;  Wang HJ;  Hu XW;  An, JM, Inner Mongolian Univ, Dept Phys, Hohhot 010021, Peoples R China. 电子邮箱地址: junming@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(220Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1061/259  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bai YK;  Li SS;  Zheng HZ;  Bai, YK, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ykbai@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen YY;  Li YT;  Xia JS;  Liu JW;  Chen SW;  Yu JZ;  Chen, YY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: chyy@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li RY;  Wang ZG;  Xu B;  Jin P;  Guo X;  Chen M;  Li, RY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ryli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu JZ;  Chen SW;  Xia JS;  Wang ZT;  Fan ZC;  Li YP;  Liu JW;  Yang D;  Chen YY;  Yu, JZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jzyu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, GF;  Li, SS;  Liang, JQ;  Zhang, GF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gf1978zhang2001@yahoo.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang NH;  Wang XL;  Zeng YP;  Xiao HL;  Wang JX;  Liu HX;  Li JM;  Zhang, NH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: znhong@red.semi.ac.cn
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