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制备纳米级超薄硅可协变衬底的可控性腐蚀法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-10-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓峰;  曾一平;  黄风义;  王保强;  朱占平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gu J;  Zhu MF;  Wang LJ;  Liu FZ;  Zhou BQ;  Zhou YQ;  Ding K;  Li GH;  Zhu, MF, Chinese Acad Sci, Grad Sch, Dept Phys, POB 4588, Beijing 100049, Peoples R China. 电子邮箱地址: mfzhu@gucas.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, BQ;  Wang, JN;  Jiang, DS;  Sun, BQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, NLSM, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: bqsun@red.semi.ac.cn
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