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高击穿电压的高电子迁移率晶体管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐晓华;  倪海桥;  牛智川;  贺正宏;  王建林
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高铟组分镓砷/铟镓砷量子阱结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  徐晓华;  倪海桥;  徐应强;  韩勤;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han, Q;  Yang, XH;  Niu, ZC;  Ni, HQ;  Xu, YQ;  Zhang, SY;  Du, Y;  Peng, LH;  Zhao, H;  Tong, CZ;  Wu, RH;  Wang, QM;  Han, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hanqin@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Niu, ZC;  Zhang, SY;  Ni, HQ;  Wu, DH;  Zhao, H;  Peng, HL;  Xu, YQ;  Li, SY;  He, ZH;  Ren, ZW;  Han, Q;  Yang, XH;  Du, Y;  Wu, RH;  Zhang, SY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangshiyong@tsinghua.org.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  宋国峰;  甘巧强;  瞿欣;  方培源;  高建霞;  曹青;  徐军;  康香宁;  徐云;  钟源;  杨国华;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘明;  陈晓红;  徐征;  滕枫;  衣立新;  高德文;  郭立群
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨旭东;  徐仲英;  罗向东;  方再历;  李国华;  苏荫强;  葛惟昆
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  徐云;  郭良;  曹青;  宋国峰;  甘巧强;  杨国华;  李玉璋;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  徐晓华;  牛智川;  倪海桥;  徐应强;  张纬;  贺正宏;  韩勤;  吴荣汉;  江德生
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  屈玉华;  江德生;  边历峰;  孙征;  牛智川;  徐晓华
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