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| 无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 崔利杰; 曾一平; 王保强; 朱战平 Adobe PDF(342Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1432/180  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhao Q; Li JC; Zhou H; Wang H; Wang B; Yan H; Zhao, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. Adobe PDF(164Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1381/439  |  提交时间:2010/03/09 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Jin P; Li CM; Zhang ZY; Liu FQ; Chen YH; Ye XL; Xu B; Wang ZG; Jin, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: pengjin@red.semi.ac.cn Adobe PDF(105Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1507/532  |  提交时间:2010/03/09 |
| 新型GaAs 基长波长低维半导体材料的光学性质研究 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004 作者: 边历峰 Adobe PDF(1296Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:907/13  |  提交时间:2009/04/13 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Shi GX; Jin P; Xu B; Li CM; Cui CX; Wang YL; Ye XL; Wu J; Wang ZG; Shi, GX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gxshi@red.semi.ac.cn Adobe PDF(286Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:993/286  |  提交时间:2010/03/09 |
| 半导体纳米结构物理性质的理论研究 成果 2004 主要完成人: 夏建白; 李树深; 常凯; 朱邦芬 收藏  |  浏览/下载:2044/0  |  提交时间:2010/04/13 纳米结构 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Liu JJ; Di B; Yang GC; Li SS; Liu, JJ, Hebei Normal Univ, Coll Phys, Shijiazhuang 050016, Peoples R China. 电子邮箱地址: Liujj@mail.hebtu.edu.cn Adobe PDF(399Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:864/261  |  提交时间:2010/03/09 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 边历锋; 江德生; 陆书龙 Adobe PDF(153Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:625/193  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 张宝顺; 伍墨; 陈俊; 沈晓明; 冯淦; 刘建平; 史永生; 段丽宏; 朱建军; 杨辉 Adobe PDF(322Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:964/301  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 王勇刚; 马骁宇; 张丙元; 陈檬; 李港 Adobe PDF(278Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:795/221  |  提交时间:2010/11/23 |