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单模微腔半导体激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-09-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  国伟华;  黄永箴
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo WH;  Huang YZ;  Lu QY;  Yu LJ;  Guo, WH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gwh@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo, WH;  Huang, YZ;  Lu, QY;  Yu, L;  Guo, WH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo, WH;  Lu, QY;  Huang, YZ;  Yu, LJ;  Guo, WH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gwh@red.semi.ac.cn
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光学微腔及半导体激光器增益谱测量的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者:  国伟华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang, YZ;  Lu, QY;  Guo, WH;  Yu, LJ;  Huang, YZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu, QY;  Chen, XH;  Guo, WH;  Yu, LJ;  Huang, YZ;  Wang, J;  Luo, Y;  Lu, QY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: luqy@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄永箴;  国伟华
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