SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共25条,第1-10条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
一种探测功率范围可调的光电探测器及其列阵 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨林;  刘育梁;  王启明
Adobe PDF(661Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1228/170  |  提交时间:2009/06/11
波导型偏振模式分离器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-09-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨林;  刘育梁;  王启明
Adobe PDF(578Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1135/180  |  提交时间:2009/06/11
具有自动调节功能的光学衰减器模块 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-07-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨林;  刘育梁;  王启明
Adobe PDF(1044Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1154/165  |  提交时间:2009/06/11
多模干涉型光学衰减器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨林;  刘育梁;  王启明
Adobe PDF(925Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1062/169  |  提交时间:2009/06/11
用于泵浦固体激光器的大功率激光二极管列阵泵浦腔 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-05-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  方高瞻;  肖建伟;  马骁宇;  王晓薇;  冯小明;  刘斌;  刘媛媛
Adobe PDF(307Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1301/191  |  提交时间:2009/06/11
形成镓砷/铝镓砷激光二极管的非吸收窗口的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-05-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  方高瞻;  肖建伟;  马骁宇;  王晓薇;  冯小明;  刘斌;  刘媛媛
Adobe PDF(314Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1515/230  |  提交时间:2009/06/11
Nano-layer structure of silicon-on-insulator materials 会议论文
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 42, SEOUL, SOUTH KOREA, AUG 20-23, 2002
作者:  Wang X;  Chen M;  Chen J;  Dong YN;  Liu XH;  He P;  Tian LL;  Liu ZL;  Chen J Chinese Acad Sci Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol Ion Beam Lab 865 Changning Rd Shanghai 200050 Peoples R China.
Adobe PDF(1181Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1303/242  |  提交时间:2010/11/15
Soi  Nanostructure  Microelectronic Materials  
Influence of heated catalyzer on thermal distribution of substrate in HWCVD system 会议论文
THIN SOLID FILMS, 430 (1-2), DENVER, COLORADO, SEP 10-13, 2002
作者:  Zhang Q;  Zhu M;  Wang L;  Liu E;  Zhu M Chinese Acad Sci Dept Phys Grad Sch POB 3908 Beijing 100039 Peoples R China.
Adobe PDF(223Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1335/238  |  提交时间:2010/11/15
Amorphous-silicon  Deposition  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang BS;  Wu M;  Shen XM;  Chen J;  Zhu JJ;  Liu JP;  Feng G;  Zhao DG;  Wang YT;  Yang H;  Zhang BS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(232Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2048/868  |  提交时间:2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang Q;  Zhu M;  Wang L;  Liu E;  Zhu M,Chinese Acad Sci,Dept Phys,Grad Sch,POB 3908,Beijing 100039,Peoples R China.
Adobe PDF(223Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:851/276  |  提交时间:2010/08/12