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高速A/D转换器中无冗余位的数字校正方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  石寅;  李志刚;  李拥平;  朱荣华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong HW;  Zhao YW;  Li JM;  Dong HW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xia JB;  Li SS;  Xia JB,Chinese Ctr Adv Sci & Technol,World Lab,POB 8730,Beijing 100080,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang L;  Li SS;  Yang FH;  Niu ZC;  Feng SL;  Zheng HZ;  Wang L,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei WS;  Wang TM;  Zhang CX;  Li GH;  Li YX;  Wei WS,Beijing Univ Aeronaut & Astronaut,Sch Sci,Ctr Mat Phys & Chem,Sch Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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Growth and photoluminescence of InAlGaN films 会议论文
5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS, NARA, JAPAN, MAY 25-30, 2003
作者:  Li DB;  Dong X;  Huang JS;  Liu XL;  Xu ZY;  Wang ZG;  Li DB Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Multiple-quantum Wells  Quaternary Alloys  Optical-properties  
Quantum dynamics of coupled quantum-dot qubits and dephasing effects induced by detections 会议论文
NANO SCIENCE AND TECHNOLOGY NOVEL STRUCTURES AND PHENOMENA, Kowloon, PEOPLES R CHINA, 2002
作者:  Jiang ZT;  Peng J;  You JQ;  Li SS;  Zheng HZ;  Jiang ZT Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Long-wavelength SiGe/Si MQW resonant-cavity-enhanced photodetectors (RCE-PD) for application in optical fiber communication network 会议论文
PROCEEDINGS OF THE SIXTH CHINESE OPTOELECTRONICS SYMPOSIUM, KOWLOON, PEOPLES R CHINA, SEP 12-14, 2003
作者:  Wang QM;  Li C;  Cheng BW;  Yang QQ;  Lei ZL;  Yu JZ;  Wang QM Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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High-mobility Ga-polarity GaN achieved by NH3-MBE 会议论文
GAN AND RELATED ALLOYS-2002, 743, BOSTON, MA, DEC 02-06, 2002
作者:  Wang JX;  Wang XL;  Sun DZ;  Li JM;  Zeng YP;  Hu GX;  Liu HX;  Lin LY;  Wang JX Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Ctr POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Molecular-beam Epitaxy  Ion-scattering Spectroscopy  Lattice Polarity  Single-crystals  Films  Polarization  Gan(0001)  Surfaces  Growth  Diodes  
Influence of In0.2Ga0.8As strain-reducing layer on the active region of quantum dot superluminescent diodes 会议论文
QUANTUM CONFINED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES, 737, BOSTON, MA, DEC 02, 2001-DEC 05, 2002
作者:  Zhang ZY;  Li CM;  Jin P;  Meng XQ;  Xu B;  Ye XL;  Wang ZG;  Zhang ZY Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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