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半导体模式转换器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-04-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘国利;  王圩;  朱洪亮;  董杰
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GaAs基InAlAs/InGaAs MM-HEMT材料生长与器件制作 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2002
作者:  崔利杰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙元平;  付羿;  渠波;  王玉田;  冯玉宏;  赵德刚;  郑新和;  段俐宏;  李秉臣;  张书明;  杨辉;  姜晓明;  郑文莉;  贾全杰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  冯淦;  郑新和;  王玉田;  杨辉;  梁骏吾;  郑文莉;  贾全杰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  卢励吾;  张砚华;  徐遵图;  徐仲英;  王占国;  Wang J;  Ge Weikun
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  卢励吾;  王占国;  Yang C L;  Wang J;  Ma Z H;  Sou I K;  Ge Weikun
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  卢励吾;  张砚华;  Wang J;  Ge Weikun
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张瑞英;  董杰;  周帆;  李国华;  边静;  冯志伟;  王圩
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张静媛;  刘国利;  朱洪亮;  周帆;  孙洋;  汪孝杰;  王圩
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