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偏振可控光电子器件的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-12-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  董杰;  张瑞英;  王圩
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波长可调谐电吸收调制分布反馈激光器和制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-08-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘国利;  王圩;  张静媛
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电吸收调制器的光纤对准耦合方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-07-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  孙洋;  陈娓兮;  王圩
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半导体模式转换器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-04-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘国利;  王圩;  朱洪亮;  董杰
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采用TEOS源PECVD生长氧化硅厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-03-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  雷红兵;  王红杰;  胡雄伟;  邓晓清;  王启明
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选择区域外延制作电吸收调制分布反馈激光器的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-01-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘国利;  王圩;  陈娓兮;  朱洪亮
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GaAs 基新型半导体材料的 MOCVD 生长及其在光电子器件中的应用研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2002
作者:  韦欣
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Study on optical band gap of boron-doped nc-Si : H film 会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:  Wei WS;  Wang TM;  Zhang CX;  Li GH;  Han HX;  Ding K;  Wei WS Beijing Univ Aeronaut & Astronaut Sch Sci Ctr Mat Phys & Chem Beijing 100083 Peoples R China.
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Amorphous-silicon  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang L;  You JQ;  Yan XH;  Wei SH;  Huang L,Xiangtan Univ,Dept Phys,Xiangtan 411105,Peoples R China.
Adobe PDF(235Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:891/294  |  提交时间:2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei WS;  Wang TM;  Zhang CX;  Li GH;  Han HX;  Ding K;  Wei WS,Beijing Univ Aeronaut & Astronaut,Sch Sci,Ctr Mat Phys & Chem,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(860Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:988/196  |  提交时间:2010/08/12