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| 偏振可控光电子器件的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-12-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 董杰; 张瑞英; 王圩 Adobe PDF(991Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1043/140  |  提交时间:2009/06/11 |
| 波长可调谐电吸收调制分布反馈激光器和制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-08-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘国利; 王圩; 张静媛 Adobe PDF(544Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1162/209  |  提交时间:2009/06/11 |
| 电吸收调制器的光纤对准耦合方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-07-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 孙洋; 陈娓兮; 王圩 Adobe PDF(202Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1149/181  |  提交时间:2009/06/11 |
| 半导体模式转换器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-04-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘国利; 王圩; 朱洪亮; 董杰 Adobe PDF(392Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:983/139  |  提交时间:2009/06/11 |
| 采用TEOS源PECVD生长氧化硅厚膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-03-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 雷红兵; 王红杰; 胡雄伟; 邓晓清; 王启明 Adobe PDF(356Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1273/216  |  提交时间:2009/06/11 |
| 选择区域外延制作电吸收调制分布反馈激光器的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-01-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘国利; 王圩; 陈娓兮; 朱洪亮 Adobe PDF(436Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:929/155  |  提交时间:2009/06/11 |
| GaAs 基新型半导体材料的 MOCVD 生长及其在光电子器件中的应用研究 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2002 作者: 韦欣 Adobe PDF(2839Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1125/59  |  提交时间:2009/04/13 |
| Study on optical band gap of boron-doped nc-Si : H film 会议论文 INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002 作者: Wei WS; Wang TM; Zhang CX; Li GH; Han HX; Ding K; Wei WS Beijing Univ Aeronaut & Astronaut Sch Sci Ctr Mat Phys & Chem Beijing 100083 Peoples R China. Adobe PDF(860Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1079/213  |  提交时间:2010/11/15 Amorphous-silicon |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Huang L; You JQ; Yan XH; Wei SH; Huang L,Xiangtan Univ,Dept Phys,Xiangtan 411105,Peoples R China. Adobe PDF(235Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:891/294  |  提交时间:2010/08/12 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Wei WS; Wang TM; Zhang CX; Li GH; Han HX; Ding K; Wei WS,Beijing Univ Aeronaut & Astronaut,Sch Sci,Ctr Mat Phys & Chem,Beijing 100083,Peoples R China. Adobe PDF(860Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:988/196  |  提交时间:2010/08/12 |