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气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄大定;  李建平;  高斐;  林燕霞;  孙殿照;  刘金平;  朱世荣;  孔梅影
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1.3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  封松林;  杨富华;  王晓东;  汪辉;  李树英;  苗振华;  李树深
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波长可调谐电吸收调制分布反馈激光器和制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-08-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘国利;  王圩;  张静媛
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半导体模式转换器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-04-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘国利;  王圩;  朱洪亮;  董杰
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选择区域外延制作电吸收调制分布反馈激光器的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-01-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘国利;  王圩;  陈娓兮;  朱洪亮
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Simulation and fabrication of thermo-optic variable optical attenuators based on multimode interference coupler 会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:  Yang L;  Liu YL;  Li F;  Cheng Y;  Qiu HJ;  Wang QM;  Yang L Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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Wave-guides  
Study on optical band gap of boron-doped nc-Si : H film 会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:  Wei WS;  Wang TM;  Zhang CX;  Li GH;  Han HX;  Ding K;  Wei WS Beijing Univ Aeronaut & Astronaut Sch Sci Ctr Mat Phys & Chem Beijing 100083 Peoples R China.
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Amorphous-silicon  
In situ doping of 3C-SiC grown on (0001) sapphire substrates by LPCVD 会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2001, PTS 1 AND 2, PROCEEDINGS, 389-3, TSUKUBA, JAPAN, OCT 28-NOV 02, 2001
作者:  Sun GS;  Luo MC;  Wang L;  Zhu SR;  Li JM;  Zeng YP;  Lin LY;  Sun GS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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3c-sic  In-situ Doping  Low-pressure Cvd  Sapphire Substrate  Chemical-vapor-deposition  Competition Epitaxy  
GaAs基InAlAs/InGaAs MM-HEMT材料生长与器件制作 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2002
作者:  崔利杰
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InGaN量子点的 MOCVD生长及特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2002
作者:  李昱峰
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