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变温的高阻半导体材料光电测试装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2001-08-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张砚华;  卢励吾;  樊志军
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Ti Schottky barrier diodes on n-type 6H-SiC 会议论文
SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, VOLS 1 AND 2, PROCEEDINGS, SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, OCT 22-25, 2001
作者:  Liu ZL;  Wang SR;  Yu F;  Zhang YG;  Zhao H;  Liu ZL Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Semiconductor  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  贾锐;  江德生;  陈京好;  谭平恒;  孙宝权;  张敬波;  林源
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  魏红振;  余金中;  张小峰;  刘忠立;  史伟;  房昌水
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘新宇;  孙海峰;  陈焕章;  扈焕章;  海潮和;  刘忠立;  和致经;  吴德馨
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张秀兰;  朱文珍;  黄大定
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李联合;  潘钟;  张伟;  林耀望;  王学宇;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  任丙彦;  张志成;  刘彩池;  郝秋燕;  王猛
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王姝睿;  刘忠立;  李国花;  于芳;  刘焕章
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘舒曼;  刘峰奇;  郭海清;  张志华;  王占国
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