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| MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices 会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者: Yang H; Zhang SM ; Xu DP; Li SF; Zhao DG; Fu Y; Sun YP; Feng ZH; Zheng LX; Yang H Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Natl Res Ctr Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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Mocvd Gan Ingan Cubic Led Chemical-vapor-deposition Molecular-beam Epitaxy Gallium Nitride Phase Epitaxy Ingan Films Electroluminescence Zincblende Wurtzite Mbe |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xu DP; Wang YT; Yang H; Li SF; Zhao DG; Fu Y; Zhang SM; Wu RH; Jia QJ; Zheng WL; Jiang XM; Xu DP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100083,Peoples R China.
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| Epitaxial growth of GaNAs/GaAs heterostructure materials 会议论文
THIN SOLID FILMS, 368 (2), SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, MAY 10-13, 1999
作者: Lin YW; Pan Z; Li LH; Zhou ZQ; Wang H; Zhang W; Lin YW Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Ganas Dc Active N-2 Plasma Molecular Beam Epitaxy Nitrogen Content Fourier Transform Infrared Spectroscopy Of Intensity Band-gap Energy Gaas1-xnx Nitrogen |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Lin YW; Pan Z; Li LH; Zhou ZQ; Wang H; Zhang W; Lin YW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xu D; Yang H; Zhang SM; Zheng LX; Zhao DG; Li SF; Wang YT; Wu RH; Xu D,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 郭维廉; 郑元芬; 沙亚男; 张培宁; 张世林; 李树荣; 郑云光; 陈弘达; 林世鸣; 芦秀玲
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 方高瞻; 肖建伟; 马骁宇; 谭满清; 刘宗顺; 刘素平; 胡长虹; 鲁琳; 李秀芳; 王梅
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张培宁; 张世林; 郭维廉; 林世鸣; 陈弘达
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Cheng P(程澎); Gao JH(高俊华); Kang XJ(康学军); Lin SM(林世鸣); Zhang GB(张光斌); Liu SA(刘世安); Hu GX(胡国新)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang W(张伟); Pan Z(潘钟); Li LH(李联合); Wang XY(王学宇); Lin YW(林耀望)
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