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一种高速、高精度模/数(A/D)转换器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 1999-10-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  石寅;  李世祖;  朱荣华;  王守觉
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一种高速模拟开关 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 1999-09-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  石寅;  李世祖;  朱荣华;  王守觉
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一种控温的半导体光电特性测试样品架 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 1999-07-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张砚华;  卢励吾
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高效发光二极管及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 1999-07-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王国宏;  马骁宇;  曹青;  王树堂;  李玉璋;  陈良惠
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Normal-incident SiGe/Si MQWs photodetectors operating at 1.3 mu m 会议论文
PHOTONICS TECHNOLOGY INTO THE 21ST CENTURY: SEMICONDUCTORS, MICROSTRUCTURES, AND NANOSTRUCTURES, 3899, SINGAPORE, SINGAPORE, DEC 01-03, 1999
作者:  Cheng BW;  Li C;  Yang QQ;  Wang HJ;  Luo LP;  Yu JZ;  Wang QM;  Cheng BW Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Sige/si  Mqws  Photodetector  1.3 Mu-m  Si/sio2  
Photoluminescence characteristics of GaAs/AlGaAs quantum dot arrays fabricated by dry and dry-wet etching 会议论文
PHOTONICS TECHNOLOGY INTO THE 21ST CENTURY: SEMICONDUCTORS, MICROSTRUCTURES, AND NANOSTRUCTURES, 3899, SINGAPORE, SINGAPORE, DEC 01-03, 1999
作者:  Wang XH;  Song AM;  Liu J;  Cheng WC;  Li GH;  Li CF;  Li YX;  Yu JZ;  Wang XH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China.
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Gaas/algaas  Quantum Dot Array  Etching Method  Photoluminescence  Wires  
Effect of rapid thermal annealing on the Raman spectrum of Si0.33Ge0.67/Si (100) alloy 会议论文
NONDESTRUCTIVE CHARACTERIZATION OF MATERIALS IX, 497, SYDNEY, AUSTRALIA, JUN 28-JUL 02, 1999
作者:  Liu JP;  Kong MY;  Huang DD;  Li JP;  Sun DZ;  Liu JP Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Strain-shift Coefficients  Si1-xgex  Silicon  Phonons  
Multiple quantum well self electro-optic effect devices for optoelectronic smart pixels 会议论文
OPTOELETRONIC INTEGRATED CIRCUITS AND PACKAGING III, 3631, SAN JOSE, CA, JAN 28-29, 1999
作者:  Chen HD;  Wu RG;  Chen ZB;  Zhang Y;  Du Y;  Zeng QM;  Li XJ;  Zhang YM;  Zhou G;  Hua F;  Chen HD Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Seed Arrays  Smart Pixels  Hybrid Integration  Optical Interconnects  Vlsi Switching Chip  Mqw Modulators  Silicon Cmos  Circuits  Arrays  Operation  Detectors  Receivers  Progress  
Structural properties of polycrystalline silicon films formed by pulsed rapid thermal processing 会议论文
AMORPHOUS AND MICROCRYSTALLINE SILICON TECHNOLOGY-1998, 507, SAN FRANCISCO, CA, APR 14-17, 1998
作者:  Wang YQ;  Liao XB;  Diao HW;  He J;  Ma ZX;  Yue GZ;  Shen SR;  Kong GL;  Zhao YW;  Li ZM;  Yun F;  Wang YQ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Lab Surface Phys POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Amorphous-silicon  Crystallization  Transistors  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JP;  Huang DD;  Li JP;  Sun DZ;  Kong MY;  Liu JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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