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High-concentration hydrogen in unintentionally doped GaN 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 189, TOKUSHIMA CITY, JAPAN, OCT 27-31, 1997
作者:  Zhang JP;  Wang XL;  Sun DZ;  Li XB;  Kong MY;  Zhang JP Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangjp@red.semi.ac.cn
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Gallium Nitride  Gas Source Molecular Beam Epitaxy  Hydrogen  Autodoping  Films  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yue GZ;  Kong GL;  Zhang DL;  Ma ZX;  Sheng SR;  Liao XB;  Zhang DL,Chinese Acad Sci,Inst Phys,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang JP;  Sun DZ;  Li XB;  Wang XL;  Fu RH;  Kong MY;  Zhang JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang JP;  Sun DZ;  Wang XL;  Li XB;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY;  Zhang JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang JP;  Wang XL;  Sun DZ;  Li XB;  Kong MY;  Zhang JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangjp@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li XB;  Sun DZ;  Zhang JP;  Kong MY;  Li XB,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li XB;  Sun DZ;  Zhang JP;  Zhu SR;  Kong MY;  Li XB,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: xbli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kong GL;  Zhang DL;  Yue GZ;  Liao XB;  Kong GL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Condensed Matter Phys,State Lab Surface Phys,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu QS;  Wang XB;  Zhong ZT;  Zhou XC;  He YP;  Cao ZP;  Zhang GZ;  Xiao J;  Sun XH;  Yang HZ;  Du QG;  Zhu QS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li XB;  Sun DZ;  Zhang JP;  Kong MY;  Yoon SF;  Li XB,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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