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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhu JH ; Wang LJ; Zhang SM; Wang H; Zhao DG; Zhu JJ; Liu ZS; Jiang DS; Yang H; Zhang, SM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. smzhang@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang LQ; Jiang DS; Zhu JJ; Zhao DG; Liu ZS; Zhang SM; Yang H; Zhang LQ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lqzhang@semi.ac.cn; hyang@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张立群; 张书明; 江德生; 朱建军; 赵德刚; 杨辉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Jiang DS; Jahn U; Chen J; Li DY; Zhang SM; Zhu JJ; Zhao DG; Liu ZS; Yang H; Ploog K; Jiang, DS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Chen Jun; Wang Jianfeng; Wang Hui; Zhao Degang; Zhu Jianjun; Zhang Shuming; Yang Hui
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李娜; 赵德刚; 杨辉
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| MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices 会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者: Yang H; Zhang SM; Xu DP; Li SF; Zhao DG; Fu Y; Sun YP; Feng ZH; Zheng LX; Yang H Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Natl Res Ctr Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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Mocvd Gan Ingan Cubic Led Chemical-vapor-deposition Molecular-beam Epitaxy Gallium Nitride Phase Epitaxy Ingan Films Electroluminescence Zincblende Wurtzite Mbe |
