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AlGaN/GaN MOS-HFET功率开关器件制备技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:  赵勇兵
Adobe PDF(3734Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1007/78  |  提交时间：2016/06/01
Algan/gan Hfet  特征导通电阻  击穿电压  增强型器件  阈值电压  
GaN 基LEDs 可靠性及失效机理的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  符佳佳
Adobe PDF(11637Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1140/96  |  提交时间：2016/06/01
Gan基leds  可靠性评估  老化行为  失效分析  
无权访问的条目 学位论文
作者:  赵云
Adobe PDF(7899Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：359/15  |  提交时间：2016/06/03
无权访问的条目 期刊论文
作者:  L. Wang;  G. D. Yuan;  R. F. Duan;  F. Huang;  T. B. Wei;  Z. Q. Liu;  J. X. Wang;  J. M. Li
Adobe PDF(5568Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：236/2  |  提交时间：2017/03/16
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Nan Guan;  Xing Dai;  Agnès Messanvi;  Hezhi Zhang;  Jianchang Yan;  Eric Gautier;  Catherine Bougero;  François H. Julien;  Christophe Durand;  Joël Eymery;  Maria Tchernycheva
Adobe PDF(3239Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：260/2  |  提交时间：2017/03/16