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| 生长高迁移率氮化镓外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽
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| 生长高阻氮化镓外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 冉军学; 曾一平; 李晋闽
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| 生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 肖红领; 王晓亮; 王军喜; 张南红; 刘宏新; 曾一平
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| 一种氢致解偶合的异质外延用柔性衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张志成; 杨少延; 黎大兵 ; 刘祥林; 陈涌海; 朱勤生; 王占国
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| 原子氢辅助分子束外延生长技术及InAs/GaAs 纳米结构的形貌可控性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者: 苗振华
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| InxGa1-xAs低维结构的分子束外延生长、表面形貌演化及有序化控制 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者: 龚政
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| 4H-SiC 同质外延生长与器件制作 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者: 高欣
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| 1.3 微米长波长InAs/GaAs 自组织量子点的分子束外延生长与激光器 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者: 方志丹
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| 大失配异质外延超薄中间层柔性衬底研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者: 杨少延
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 孙永伟; 马文全; 杨晓杰; 屈玉华; 侯识华; 江德生; 孙宝权; 陈良惠
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