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Homoepitaxial growth and MOS structures of 4H-SiC on off oriented n-type (0001)Si-faces 会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:  Sun, GS;  Ning, J;  Zhang, YX;  Gao, X;  Wang, L;  Zhao, WS;  Zeng, YP;  Li, JM;  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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4h-sic  Lpcvd Homoepitaxial Growth  Thermal Oxidization  Mos Structures  Hot-wall Cvd  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, GS;  Zhang, YX;  Gao, X;  Wang, L;  Zhao, WS;  Zeng, YP;  Li, JM;  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gshsun@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun Guosheng;  Zhang Yongxing;  Gao Xin;  Wang Junxi;  Wang Lei;  Zhao Wanshun;  Wang Xiaoliang;  Zeng Yiping;  Li Jinmin
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun Guosheng;  Gao Xin;  Zhang Yongxing;  Wang Lei;  Zhao Wanshun;  Zeng Yiping;  Li Jinmin
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