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Effect of SiO2 encapsulation on the nitrogen reorganization in GaNAs/GaAs single quantum well 会议论文
APOC 2003:ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS; MATERIALS, ACTIVE DEVICES, AND OPTICAL AMPLIFIERS, PTS 1 AND 2, 5280, Wuhan, PEOPLES R CHINA, NOV 04-06, 2003
作者:  Ying-Qiang X;  Zhang W;  Niu ZC;  Wu RG;  Wang QM;  Ying-Qiang X Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Ganas  Sio2 Encapsulation  Rapid-thermal-annealing  Nitrogen Reorganization  Molecular-beam Epitaxy  Optical-properties  Mu-m  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu CD;  Du GT;  Song JF;  Huang YZ;  Xu, CD, Jilin Univ, Coll Sci & Engn, State Key Lab Integrated Optoelect, Changchun 130023, Peoples R China. 电子邮箱地址: laserlab@mail.jlu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ramsteiner M;  Jiang DS;  Harris JS;  Ploog KH;  Ramsteiner, M, Paul Drude Inst Festkorperelekt, Hausvogteipl 5-7, D-10117 Berlin, Germany. 电子邮箱地址: mer@pdi-berlin.de
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li Dabing;  Dong Xun;  Liu Xianglin;  Wang Xiaohui;  Wang Zhanguo
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang Shurong;  Zhu Hongliang;  Liu Zhihong;  Zhang Ruiying;  Ding Ying;  Zhao Lingjuan;  Zhou Fan;  Bian Jing;  Wang Lufeng;  Wang Wei
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang Shurong;  Wang Hui;  Wang Baojun;  Zhu Hongliang;  Zhang Jing;  Ding Ying;  Zhao Lingjuan;  Zhou Fan;  Wang Lufeng;  Wang Wei
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Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:  Jiang DS;  Bian LF;  Liang XG;  Chang K;  Sun BQ;  Johnson S;  Zhang YH;  Jiang DS CAS Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
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Molecular Beam Epitaxy  Quantum Wells  Gaassb/gaas  Gaas  Lasers  Gain  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang DS;  Bian LF;  Liang XG;  Chang K;  Sun BQ;  Johnson S;  Zhang YH;  Jiang, DS, CAS, Inst Semicond, SKLSM, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
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