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Energy band and acceptor binding energy of GaN and AlxGa1-xN 会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 75 (2-3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:  Xia JB;  Cheah KW;  Wang XL;  Sun DZ;  Kong MY;  Xia JB Hong Kong Bapitst Univ Dept Phys Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
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Acceptor Binding Energy  Hole Effective-mass Hamiltonian  Wurtzite Gan  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xia JB;  Cheah KW;  Wang XL;  Sun DZ;  Kong MY;  Xia JB,Hong Kong Bapitst Univ,Dept Phys,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li JB;  Xia JB;  Li JB,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li JB;  Xia JB;  Li JB,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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