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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xun, Meng; Pan, Guanzhong; Zhao, Zhuangzhuang; Sun, Yun; Yang, Chengyue; Kan, Qiang; Zhou, Jingtao; Wu, Dexin
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Meng, Fangyuan; Yu, Hongyan; Zhou, Xuliang; Li, Yajie; Wang, Mengqi; Yang, Wenyu; Chen, Weixi; Zhang, Yejin; Pan, Jiaoqing
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yajie Li; Hongyan Yu; Wengyu Yang; Chaoyang Ge; Pengfei Wang; Fangyuan Meng; Guangzhen Luo; Mengqi Wang; Xuliang Zhou; Dan Lu; Guangzhao Ran; Jiaoqing Pan
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: YAJIE LI ; MENGQI WANG ; XULIANG ZHOU ; PENGFEI WANG ; WENYU YANG ; FANGYUAN MENG ; GUANGZHEN LUO ; HONGYAN YU ; JIAOQING PAN ; WEI WANG
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: ZHAOSONG LI ; DAN LU; YIMING HE ; FANGYUAN MENG ; XULIANG ZHOU ; JIAOQING PAN
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| 一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人: 米俊萍; 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 李士颜; 潘教青
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| 一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-15
发明人: 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 潘教青; 王圩
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| 在Si基上制备InP基HEMT的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05
发明人: 李士颜; 周旭亮; 于鸿艳; 李梦珂; 米俊萍; 潘教青
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| 硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09
发明人: 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 潘教青; 王圩
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| 基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26
发明人: 李梦珂; 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 米俊萍; 潘教青
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