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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中科院半导体照明研... [39]
作者
魏学成 [2]
魏同波 [2]
闫建昌 [2]
李京波 [1]
文献类型
专利 [35]
期刊论文 [3]
学位论文 [1]
发表日期
2014 [1]
2013 [1]
2012 [1]
2011 [1]
语种
中文 [9]
英语 [2]
出处
ACS PHOTON... [1]
APPLIED PH... [1]
Applied Ph... [1]
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专题:中科院半导体照明研发中心
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang, LC
;
Ma, J
;
Liu, ZQ
;
Yi, XY
;
Zhu, HW
;
Wang, GH
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浏览/下载:760/109
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提交时间:2015/08/21
铟镓氮自组装量子点的制备,光电特性分析及其在长波长发光二极管中的应用
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:
马骏
Adobe PDF(4990Kb)
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浏览/下载:1063/72
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提交时间:2013/06/20
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ma J (Ma, Jun)
;
Ji XL (Ji, Xiaoli)
;
Wang GH (Wang, Guohong)
;
Wei XC (Wei, Xuecheng)
;
Lu HX (Lu, Hongxi)
;
Yi XY (Yi, Xiaoyan)
;
Duan RF (Duan, Ruifei)
;
Wang JX (Wang, Junxi)
;
Zeng YP (Zeng, Yiping)
;
Li JM (Li, Jinmin)
;
Yang FH (Yang, Fuhua)
;
Wang C (Wang, Chao)
;
Zou G (Zou, Gang)
Adobe PDF(1367Kb)
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浏览/下载:1659/539
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提交时间:2013/03/27
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang, L.
;
Ding, K.
;
Liu, N.X.
;
Wei, T.B.
;
Ji, X.L.
;
Ma, P.
;
Yan, J.C.
;
Wang, J.X.
;
Zeng, Y.P.
;
Li, J.M.
;
Zhang, L.(zhanglian07@semi.ac.cn)
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浏览/下载:1223/398
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提交时间:2012/06/14
调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102185052A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
马平
;
王军喜
;
王国宏
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1824/324
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提交时间:2012/09/09
氮化镓系发光二极管
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157611.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
马平
;
李京波
;
王军喜
;
王国宏
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1615/248
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提交时间:2011/08/31
适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
孙莉莉
;
闫建昌
;
王军喜
;
刘乃鑫
;
魏同波
;
魏学成
;
马平
;
刘喆
;
曾一平
;
王国宏
;
李晋闽
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浏览/下载:1910/298
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提交时间:2011/08/31
一种氮化镓系发光二极管
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010235850.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
马平
;
王军喜
;
刘乃鑫
;
路红喜
;
王国宏
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1610/267
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提交时间:2011/08/31
提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102185056A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
马平
;
王军喜
;
魏学成
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1918/367
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提交时间:2012/09/09
一种增强LED出光效率的粗化方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263076.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
孙莉莉
;
闫建昌
;
王军喜
;
刘乃鑫
;
魏同波
;
魏学成
;
马平
;
刘喆
;
曾一平
;
王国宏
;
李晋闽
Adobe PDF(279Kb)
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浏览/下载:2117/300
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提交时间:2011/08/31