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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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集成光电子学国家重点... [4]
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2010 [1]
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专题:集成光电子学国家重点实验室
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期刊论文
作者:
Sun, Y.F.
;
Sun, J.D.
;
Zhou, Y.
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Tan, R.B.
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Zeng, C.H.
;
Xue, W.
;
Qin, H.
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Zhang, B.S.
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Wu, D.M.,
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Wu, D. M.(dmwu2008@sinano.ac.cn)
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提交时间:2012/06/13
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zheng J (Zheng J.)
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Zuo YH (Zuo Y. H.)
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Zhang LZ (Zhang L. Z.)
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Wang W (Wang W.)
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Xue CL (Xue C. L.)
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Cheng BW (Cheng B. W.)
;
Yu JZ (Yu J. Z.)
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Guo HQ (Guo H. Q.)
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Wang QM (Wang Q. M.)
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提交时间:2010/09/07
GeSn合金的外延生长方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910088391.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:
成步文
;
薛春来
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左玉华
;
汪巍
;
胡炜玄
;
苏少坚
;
白安琪
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薛海韵
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  |  
提交时间:2011/08/30
在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30
发明人:
苏少坚
;
汪巍
;
成步文
;
王启明
;
张广泽
;
胡炜玄
;
白安琪
;
薛春来
;
左玉华
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提交时间:2011/08/30