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以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  任芸芸;  徐波;  周惠英;  刘明;  李志刚;  王占国
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在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  金鹏;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王智杰;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu, NH (Zhu, Ning Hua);  Hou, GH (Hou, Guang Hui);  Huang, HP (Huang, Heng Pei);  Xu, GZ (Xu, Gui Zhi);  Zhang, T (Zhang, Tao);  Liu, Y (Liu, Yu);  Zhu, HL (Zhu, Hong Liang);  Zhao, LJ (Zhao, Ling Juan);  Wang, W (Wang, Wei);  Zhu, NH, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: nhzhu@semi.ac.cn
Adobe PDF(1612Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：903/256  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JP (Liu Jun-Peng);  Qu SC (Qu Sheng-Chun);  Chen YH (Chen Yong-Hai);  Xu Y (Xu Ying);  Zeng XB (Zeng Xiang-Bo);  Liang LY (Liang Ling-Yan);  Wang ZJ (Wang Zhi-Jie);  Zhou HY (Zhou Hui-Ying);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qusc@163.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JP (Liu Jun-Peng);  Qu SC (Qu Sheng-Chun);  Xu Y (Xu Ying);  Chen YH (Chen Yong-Hai);  Zeng XB (Zeng Xiang-Bo);  Wang ZJ (Wang Zhi-Jie);  Zhou HY (Zhou Hui-Ying);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qsc@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘超;  张雅丽;  徐桂芝;  张韬;  侯广辉;  祝宁华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李庚伟;  吴正龙;  邵素珍;  张建辉;  刘志凯
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王书荣;  王圩;  刘志宏;  朱洪亮;  张瑞英;  丁颖;  赵玲娟;  周帆;  田慧良
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨霏;  陈诺夫;  张兴旺;  杨少延;  刘志凯;  柴春林;  侯哲哲;  马辉;  尹志刚
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  渠波;  郑新和;  王玉田;  冯志宏;  韩景仪;  刘世安;  林世鸣;  杨辉;  梁骏吾
Adobe PDF(268Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：880/254  |  提交时间：2010/11/23