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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [9]
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纳米光电子实验室 [1]
作者
徐波 [6]
叶小玲 [2]
文献类型
会议论文 [11]
发表日期
2010 [2]
2001 [1]
2000 [3]
1999 [2]
1998 [3]
语种
英语 [11]
出处
PHYSICA E,... [2]
1998 5TH I... [1]
1999 IEEE ... [1]
APPLIED SU... [1]
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Research on SOI-based micro-resonator devices
会议论文
Proceedings of SPIE-The International Society for Optical Engineering vol.7847, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-20, 2010
作者:
Xiao X (Xiao Xi)
;
Xu HH (Xu Haihua)
;
Hu YT (Hu Yingtao)
;
Zhou LA (Zhou Liang)
;
Xiong K (Xiong Kang)
;
Li ZY (Li Zhiyong)
;
Li YT (Li Yuntao)
;
Fan ZC (Fan Zhongchao)
;
Han WH (Han Weihua)
;
Yu YD (Yu Yude)
;
Yu JZ (Yu Jinzhong)
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提交时间:2011/07/14
High brightness InAs/GaAs quantum dot tapered laser at 1.3 mu m with high temperature stability
会议论文
Proceedings of SPIE-The International Society for Optical Engineering vol.7844: Art. No. 784404 2010, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-19, 2010
作者:
Cao YL (Cao Yu-Lian)
;
Xu PF (Xu Peng-fei)
;
Ji HM (Ji Hai-Ming)
;
Yang T (Yang Tao)
;
Chen LH (Chen Liang-Hui)
Adobe PDF(374Kb)
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浏览/下载:2384/561
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提交时间:2011/07/14
Orientation relationship between hexagonal inclusions and cubic GaN grown on GaAs(001) substrates
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Qu B
;
Zheng XH
;
Wang YT
;
Xu DP
;
Lin SM
;
Yang H
;
Liang JW
;
Qu B Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelectron POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
X-ray Diffraction
Nitrides
Semiconducting Iii-v Materials
Phase
Films
VCSEL based optoelectronic multiple chip modules
会议论文
OPTICAL INTERCONNECTS FOR TELECOMMUNICATION AND DATA COMMUNICATIONS, 4225, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 08-10, 2000
作者:
Chen HD
;
Liang K
;
Du Y
;
Huang YZ
;
Tiang J
;
Ma XY
;
Wu RH
;
Li SY
;
Guo WL
;
Xu GJ
;
Wang Y
;
Chen HD Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Vcsel
Photodetector
Cmos
Mcm
Optoelectronic Integration
Optical Interconnects
Surface-emitting Lasers
Mqw Modulators
Integration
Circuits
Vlsi
Optical properties of self-assembled ternary In(GA/Al)As quantum dots on (100) and (N 1 1)B InP substrates
会议论文
PHYSICA E, 8 (2), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Sun ZZ
;
Liu FQ
;
Wu J
;
Ye XL
;
Ding D
;
Xu B
;
Liang JB
;
Wang ZG
;
Sun ZZ Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Self-assembled Quantum Dots
Inp Substrate
High Index
Mbe
In(Ga
Molecular-beam-epitaxy
Al)as/inAlas/inp
Vapor-phase Epitaxy
Gaas
Islands
Photoluminescence
Inp(001)
Growth
Lasers
Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
会议论文
PHYSICA E, 8 (2), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Jiang WH
;
Xu HZ
;
Xu B
;
Ye XL
;
Zhou W
;
Ding D
;
Liang JB
;
Wang ZG
;
Jiang WH Chinese Acad Sci Inst Semicond Inst Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1490/285
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提交时间:2010/11/15
Quantum Dots
High Index
Molecular Beam Epitaxy
Photoluminescence
Surface Segregation
Oriented Gaas
Ingaas
Islands
Wells
Disks
High power continuous-wave operation of self-organized In(Ga)As/GaAs quantum dot lasers
会议论文
1999 IEEE HONG KONG ELECTRON DEVICES MEETING, PROCEEDINGS, SHATIN, HONG KONG, 36337
作者:
Wang ZG
;
Liang JB
;
Qian G
;
Xu B
;
Wang ZG Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Photoluminescence study on coarsening of self-assembled InAlAs quantum dots on GaAs (001)
会议论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 28 (5), CHARLOTTESVILLE, VIRGINIA, JUN 24-26, 1998
作者:
Zhou W
;
Xu B
;
Xu HZ
;
Liu FQ
;
Liang JB
;
Wang ZG
;
Zhu ZZ
;
Li GH
;
Zhou W Chinese Acad Sci Lab Semicond Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Bimodal Distribution
Photoluminescence (Pl)
Quantum-size Effect
Ge
Ensembles
Si(100)
Growth
Shape
Room-temperature continuous-wave lasing from InAs GaAs quantum dot laser grown by molecular beam epitaxy
会议论文
1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 21-23, 1998
作者:
Gong Q
;
Liang JB
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Gong Q Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Threshold
Operation
Layer
The effect of low temperature GaAs nucleation on the growth of GaN on Silicon (001) during MOVPE process
会议论文
NITRIDE SEMICONDUCTORS, 482, BOSTON, MA, DEC 01-05, 1997
作者:
Zheng LX
;
Liang JW
;
Yang H
;
Li JB
;
Wang YT
;
Xu DP
;
Li XF
;
Duan LH
;
Hu XW
;
Zheng LX Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29