中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910080069.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  林孟喆;  曹青;  颜庭静;  陈良惠
Adobe PDF(488Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1404/209  |  提交时间：2011/08/31
氮化镓基发光器件的电极体系及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  郭金霞;  王良臣;  梁萌;  王莉;  黄亚军;  伊晓燕;  刘志强
Adobe PDF(956Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：619/5  |  提交时间：2016/09/28