×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体研... [17]
作者
谭平恒 [1]
赵立华 [1]
文献类型
期刊论文 [10]
会议论文 [7]
发表日期
2009 [2]
2008 [4]
2007 [6]
2006 [1]
2004 [1]
1999 [2]
更多...
语种
英语 [17]
出处
CHINESE PH... [3]
2008 9TH I... [2]
APPLIED PH... [2]
SILICON CA... [2]
Silicon Ca... [2]
Chinese Ph... [1]
更多...
资助项目
收录类别
SCI [9]
CPCI-S [7]
CSCD [1]
资助机构
IEEE Beiji... [2]
II VI Inc.... [2]
Japan Soc ... [2]
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共17条,第1-10条
帮助
限定条件
语种:英语
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:
Sun, GS
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Liu, XF
;
Ji, G
;
Zeng, YP
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(273Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1723/274
  |  
提交时间:2010/03/09
In-situ Doping
Boron
Aluminum
Memory Effects
Hot-wall Lpcvd
4h-sic
Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Li, JY
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(246Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1939/307
  |  
提交时间:2010/03/09
Silicon Carbide
Aluminum Nitride
Buffer Layer
Lpcvd
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Ning, J
;
Liu, XF
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, JM
;
Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ymzhao@semi.ac.cn
Adobe PDF(4488Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:978/232
  |  
提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Gai, YQ
;
Yao, B
;
Wei, ZP
;
Li, YF
;
Lu, YM
;
Shen, DZ
;
Zhang, JY
;
Zhao, DX
;
Fan, XW
;
Li, JB
;
Xia, JB
;
Yao, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, POB 912, Beijing 10083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yaobin196226@yahoo.com.cn
;
jbli@semi.ac.cn
Adobe PDF(145Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1245/403
  |  
提交时间:2010/03/08
High epitaxial growth rate of 4H-SiC using TCS as silicon precursor
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Ji, G
;
Sun, GS
;
Ning, J
;
Liu, XF
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Zeng, YP
;
Ji, G, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(1783Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1410/225
  |  
提交时间:2010/03/09
Simulation and fabrication of the SiC-based clamped-clamped filter
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Zhao, YM
;
Ning, J
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Wang, L
;
Ji, G
;
Zhao, WS
;
Li, JM
;
Yang, FH
;
Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Labs Transducer Technol, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(4954Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1454/274
  |  
提交时间:2010/03/09
Micromechanical Resonators
Frequency
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Li, JY
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Luo, MC
;
Li, JM
;
Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ymzhao@semi.ac.cn
Adobe PDF(520Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1047/264
  |  
提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao YM (Zhao Yong-Mei)
;
Sun GS (Sun Guo-Sheng)
;
Li JY (Li Jia-Ye)
;
Liu XF (Liu Xing-Fang)
;
Wang L (Wang Lei)
;
Zhao WS (Zhao Wan-Shun)
;
Li JM (Li Jin-Min)
;
Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ymzhao@semi.ac.cn
Adobe PDF(302Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1014/248
  |  
提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao YM (Zhao Yongmei)
;
Zhang BL (Zhang Binglin)
;
Yao N (Yao Ning)
;
Sun GS (Sun Guosheng)
;
Li JM (Li Jinmin)
;
Zhang, BL, Zhengzhou Univ, Dept Phys, Key Lab Mat Phys, Minist Educ China, Zhengzhou 450052, Peoples R China. 电子邮箱地址: blzhang@zzu.edu.cn
Adobe PDF(426Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:961/328
  |  
提交时间:2010/03/29
Micro-raman investigation of defects in a 4H-SiC homoepilayer
会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
;
Zhao, YM (Zhao, Y. M.)
;
Li, JY (Li, J. Y.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Luo, MC (Luo, M. C.)
;
Zeng, YP (Zeng, Y. P.)
;
Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(1318Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1385/197
  |  
提交时间:2010/03/29
Micro-raman
4h-sic
Defects
3c-inclusions
Triangle-shaped Inclusion
Epitaxial Layers
Silicon-carbide