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以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  任芸芸;  徐波;  周惠英;  刘明;  李志刚;  王占国
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在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  金鹏;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王智杰;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘超;  张雅丽;  徐桂芝;  张韬;  侯广辉;  祝宁华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李庚伟;  吴正龙;  邵素珍;  张建辉;  刘志凯
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王书荣;  王圩;  刘志宏;  朱洪亮;  张瑞英;  丁颖;  赵玲娟;  周帆;  田慧良
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨霏;  陈诺夫;  张兴旺;  杨少延;  刘志凯;  柴春林;  侯哲哲;  马辉;  尹志刚
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  渠波;  郑新和;  王玉田;  冯志宏;  韩景仪;  刘世安;  林世鸣;  杨辉;  梁骏吾
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李庚伟;  吴正龙;  杨锡震;  杨少延;  张建辉;  刘志凯
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  姚振钰;  贺洪波;  柴春林;  刘志凯;  杨少延;  张建辉;  廖梅勇;  范正修;  秦复光;  王占国;  林兰英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  廖梅勇;  张键辉;  秦复光;  刘志凯;  杨少延;  王占国;  李述汤
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