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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
赵凯
;
刘忠立
;
于芳
;
高见头
;
肖志强
;
洪根深
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浏览/下载:1191/397
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
韩培德
;
杨海峰
;
杨辉
;
林耀望
;
张泽
;
李新峰
;
周增圻
Adobe PDF(247Kb)
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浏览/下载:796/220
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
牛智川
;
周增圻
;
林耀望
;
李新峰
;
张益
;
胡雄伟
;
吕振东
;
袁之良
;
徐仲英
Adobe PDF(134Kb)
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收藏
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浏览/下载:1035/393
  |  
提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
张耀辉
;
江德生
;
夏建白
;
刘伟
;
崔丽秋
;
杨小平
;
宋春英
;
郑厚植
;
周增圻
;
林耀望
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浏览/下载:979/256
  |  
提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
陈维德
;
金高龙
;
高志强
;
崔玉德
;
段俐宏
Adobe PDF(420Kb)
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浏览/下载:1080/231
  |  
提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
牛智川
;
周增圻
;
林耀望
;
李朝勇
Adobe PDF(262Kb)
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浏览/下载:861/230
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提交时间:2010/11/23
氢离子敏场效应器件
成果
1994
主要完成人:
李东研
;
崔成烈
;
李志强
;
黄晓兰
;
洪重光
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浏览/下载:1416/0
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提交时间:2010/04/13
氢离子
栅极调制正装结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534622.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
刘志强
;
郭恩卿
;
伊晓燕
;
汪炼成
;
王国宏
;
李晋闽
Adobe PDF(290Kb)
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浏览/下载:1555/236
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提交时间:2011/08/31
栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534772.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
刘志强
;
郭恩卿
;
伊晓燕
;
汪炼成
;
王国宏
;
李晋闽
Adobe PDF(311Kb)
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浏览/下载:1447/248
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提交时间:2011/08/31
减少激光剥离损伤的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910087351.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:
段瑞飞
;
王良臣
;
刘志强
;
季安
;
王国宏
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1355/138
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提交时间:2011/08/31