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| 一种互补式金属氧化层半导体磁传感器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 周盛华; 吴南健; 杨志超
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| 提高氮化镓材料载流子迁移率的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵德刚 ; 朱建军; 杨辉; 梁骏吾
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| 一种具有侧栅结构的硅基单电子记忆存储器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 韩伟华 ; 杨香 ; 吴南健
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| 提高GaN基pin结构性能的紫外探测器及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵德刚 ; 杨辉; 梁骏吾; 李向阳; 龚海梅
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| 提高GaN基肖特基结构性能的紫外探测器及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵德刚 ; 杨辉; 梁骏吾; 李向阳; 龚海梅
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 曹延名; 吴孟; 杨富华
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