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碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  马志勇;  冉学军;  王翠敏;  肖红领;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
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镓砷基量子级联激光器管芯单元结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘俊岐;  刘峰奇;  路秀真;  郭瑜;  梁平;  胡颖;  孙虹
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu Z (Liu Zhe);  Wang XL (Wang Xiaoliang);  Wang JX (Wang Junxi);  Hu GX (Hu Guoxin);  Guo LC (Guo Lunchun);  Li JP (Li Jianping);  Li JM (Li Jinmin);  Zeng YP (Zeng Yiping);  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu Z (Liu Zhe);  Wang XL (Wang Xiao-Liang);  Wang JX (Wang Jun-Xi);  Hu GX (Hu Guo-Xin);  Guo LC (Guo Lun-Chun);  Li JM (Li Jin-Min);  Liu, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liuzhe@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei, HY (Wei, H. Y.);  Cong, GW (Cong, G. W.);  Zhang, PF (Zhang, P. F.);  Hu, WG (Hu, W. G.);  Wu, JJ (Wu, J. J.);  Jiao, CM (Jiao, C. M.);  Liu, XL (Liu, X. L.);  Zhu, QS (Zhu, Q. S.);  Wang, ZG (Wang, Z. G.);  Wei, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 10083, Peoples R China. 电子邮箱地址: why@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  许兴胜;  王春霞;  杜伟;  赵致民;  胡海洋;  宋倩;  鲁琳;  阚强;  陈弘达
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  许兴胜;  王春霞;  宋倩;  杜伟;  胡海洋;  赵致民;  鲁琳;  阚强;  陈弘达
Adobe PDF(486Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1055/327  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡良均;  陈涌海;  叶小玲;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡卫国;  魏鸿源;  焦春美;  康亭亭;  张日清;  刘祥林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘戬;  胡永红;  张尚剑;  谢亮;  黄永箴;  祝宁华
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