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半导体可饱和吸收镜及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王翠鸾;  王勇刚;  林涛;  王俊;  郑凯;  冯小明;  仲莉;  马杰慧;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cui LJ (Cui L. J.);  Zeng YP (Zeng Y. P.);  Wang BQ (Wang B. Q.);  Zhu ZP (Zhu Z. P.);  Cui, LJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ljcui@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cui LJ (Cui L. J.);  Zeng YP (Zeng Y. P.);  Wang BQ (Wang B. Q.);  Zhu ZP (Zhu Z. P.);  Guo SL (Guo S. L.);  Chu JH (Chu J. H.);  Cui, LJ, Chinese Acad Sci, Novel Mat Lab, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ljcui@red.semi.ac.cn
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Terahertz pulse generation with LT-GaAs photoconductive antenna 会议论文
Conference Digest of the 2006 Joint 31st International Conference on Infrared and Millimeter Waves and 14th International Conference on Terahertz Electronics, Shanghai, PEOPLES R CHINA, SEP 18-22, 2006
作者:  Cui, LJ (Cui, L. J.);  Zeng, YP (Zeng, Y. P.);  Zhao, GZ (Zhao, G. Z.);  Cui, LJ, Chinese Acad Med Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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Temperature-grown Gaas  Carrier Dynamics  Emission