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| 一种竖直式高温大功率碳化硅外延材料制造装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 曾一平; 李晋闽
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| 降低磷离子注入(0001)取向的4H-碳化硅电阻率的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 高欣; 孙国胜; 李晋闽; 王雷; 赵万顺
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Xu XS; Xiong ZG; Sun ZH; Du W; Lu L; Chen HD; Jin AZ; Zhang DZ; Xu, XS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: xsxu@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 杜伟; 许兴胜 ; 孙增辉; 鲁琳; 高俊华; 赵致民; 王春霞; 陈弘达
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 赵有文; 董志远; 李成基; 段满龙; 孙文荣
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 王兆阳; 胡礼中; 赵杰 ; 孙捷; 王志俊
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 赵有文; 孙文荣; 段满龙; 董志远; 杨子祥; 吕旭如; 王应利
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 赵有文; 董志远; 孙文荣; 段满龙; 杨子祥; 吕旭如
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 许兴胜 ; 熊志刚; 孙增辉; 杜伟; 鲁琳; 陈弘达; 金爱子; 张道中
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 牛智川 ; 黄社松; 龚政; 方志丹; 倪海桥; 孙宝权; 李树深; 夏建白
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