已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 硅基可协变衬底上生长三族氮化物的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-10-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张宝顺; 杨辉
Adobe PDF(479Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1185/166  |  提交时间:2009/06/11 |
| 氮化镓基发光二极管管芯的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-09-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张书明 ; 杨辉
Adobe PDF(293Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:968/131  |  提交时间:2009/06/11 |
| 小尺寸氮化镓基蓝、绿色发光二极管管芯的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-09-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨辉; 张书明![](/image/person.jpg)
Adobe PDF(377Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1174/177  |  提交时间:2009/06/11 |
| 氮化镓基发光二极管N型层欧姆接触电极的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-09-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨辉; 张书明![](/image/person.jpg)
Adobe PDF(317Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:907/133  |  提交时间:2009/06/11 |
| 提高半导体光电转换器件性能的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-08-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李建明; 种明; 杨丽卿; 徐嘉东; 胡传贤; 段晓峰; 高旻; 朱建成; 王凤莲
Adobe PDF(337Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1282/182  |  提交时间:2009/06/11 |
| 氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-04-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 冯淦; 杨辉; 梁骏吾
Adobe PDF(645Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1147/157  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种自组织量子点为有源区的超辐射发光管 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-04-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张子旸; 王占国; 徐波 ; 金鹏 ; 刘峰奇
Adobe PDF(386Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1179/159  |  提交时间:2009/06/11 |
| 制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-03-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张志成; 杨少延; 黎大兵 ; 陈涌海; 朱勤生; 王占国
Adobe PDF(350Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1151/180  |  提交时间:2009/06/11 |
| 基于谐振腔增强型光电探测器的解复用探测系统 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-03-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 吴荣汉; 杨晓红![](/image/person.jpg)
Adobe PDF(419Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:909/115  |  提交时间:2009/06/11 |
| 用于波分复用系统的解复用探测装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-03-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨晓红 ; 吴荣汉
Adobe PDF(272Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:867/106  |  提交时间:2009/06/11 |