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中国科学院半导体研究所机构知识库
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出处:INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551
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Electroluminescence and photoluminescence of Si/SiGe self-assembly quantum dot structures
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Si JJ
;
Yang QQ
;
Wang HJ
;
Wang QM
;
Si JJ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Si/sige
Quantum Dot
Electroluminescence
Photoluminescence
Photoluminescence measurements on erbium-doped silicon
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Lei HB
;
Yang QQ
;
Ou HY
;
Wang QM
;
Lei HB Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(310Kb)
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提交时间:2010/10/29
Erbium-doped Silicon
Photoluminescence
Energy Transfer