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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Sun X; Jiang DS ; Liu WB; Zhu JH; Wang H; Liu ZS; Zhu JJ; Wang YT; Zhao DG; Zhang SM; You LP; Ma RM; Yang H; Sun X Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xiansun@semi.ac.cn; dsjiang@red.semi.ac.cn
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作者: Wang H; Jiang DS; Zhu JJ; Zhao DG; Liu ZS; Wang YT; Zhang SM; Yang H; Wang H Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: wangh@red.semi.ac.cn
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作者: Wang H; Jiang DS; Zhu JJ; Zhao DG; Liu ZS; Wang YT; Zhang SM; Yang H; Wang H Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: wangh@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang H; Wang LL; Sun X; Zhu JH; Liu WB; Jiang DS; Zhu JJ; Zhao DG; Liu ZS; Wang YT; Zhang SM; Yang H; Wang H Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: wangh@red.semi.ac.cn
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作者: Zhao DG; Jiang DS; Zhu JJ; Liu ZS; Zhang SM; Liang JW; Yang H; Li X; Li XY; Gong HM; Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhao DG; Jiang DS; Zhu JJ; Liu ZS; Zhang SM; Liang JW; Li X; Li XY; Gong HM; Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dgzhao@red.semi.ac.cn
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| MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices 会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者: Yang H; Zhang SM; Xu DP; Li SF; Zhao DG; Fu Y; Sun YP; Feng ZH; Zheng LX; Yang H Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Natl Res Ctr Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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Mocvd Gan Ingan Cubic Led Chemical-vapor-deposition Molecular-beam Epitaxy Gallium Nitride Phase Epitaxy Ingan Films Electroluminescence Zincblende Wurtzite Mbe |
| Influences of initial buffer layer deposition on electrical and optical properties in cubic GaN grown on GaAs(100) by metalorganic chemical vapor deposition 会议论文
THIN SOLID FILMS, 368 (2), SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, MAY 10-13, 1999
作者: Xu DP; Yang H; Li JB; Li SF; Zhao DG; Wang YT; Sun XL; Wu RH; Xu DP Chinese Acad Sci Natl Res Ctr Optoelect Technol Inst Semicond Beijing 100864 Peoples R China.
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Cubic Gan Buffer Layer Atomic Force Microscopy Reflection High-energy Electron Diffraction Movpe |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xu DP; Yang H; Li JB; Li SF; Zhao DG; Wang YT; Sun XL; Wu RH; Xu DP,Chinese Acad Sci,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Inst Semicond,Beijing 100864,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xu D; Yang H; Zhang SM; Zheng LX; Zhao DG; Li SF; Wang YT; Wu RH; Xu D,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100083,Peoples R China.
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