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低位错III-V族单晶衬底InP、GaSb和InAs的残留应力及其退火消除研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  周媛
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou, Yuan;   Zhao, Youwen;   Xie, Hui;   Shen, Guiying;   Liu, Jingming;   Yang, Jun
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Islam, Md Rasidul;   Moshwan, Raza;   Ahmmed, Shamim;   Kumar, Anuj
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen, Shenzhong;   Yu, Jinling;   Zhu, Kejing;   Zeng, Xiaolin;   Chen, Yonghai;   Liu, Yu;   Zhang, Yang;   Cheng, Shuying;   He, Ke
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Islam, Md. Rasidul;   Liu, Kong;   Wang, Zhijie;   Qu, Shengchun;   Zhao, Chao;   Wang, Xiaohui;   Wang, Zhanguo
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