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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang WZ;  Deng JJ;  Lu J;  Chen L;  Ji Y;  Zhao JH;  Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jhzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang X;  Wu AM;  Chen J;  Wu YX;  Zhu JJ;  Yang H;  Wang, X, Chinese Acad Sci, State Key Lab Funct Mat Informat, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, 865 Changning Rd, Shanghai 200050, Peoples R China. 电子邮箱地址: xxwang@mail.sim.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, Q;  Wang, JT;  Wang, H;  Jin, RQ;  Jiang, DS;  Zhu, JJ;  Zhao, DG;  Yang, H;  Zhou, SQ;  Wu, MF;  Smeets, D;  Vantomme, A;  Sun, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sunqian519@gmail.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou ZW;  Cai ZM;  Li C;  Lai HK;  Chen SY;  Yu JZ;  Li, C, Xiamen Univ, Dept Phys, Semicond Photon Res Ctr, 422 S Siming Rd, Xiamen 361005, Fujian, Peoples R China. 电子邮箱地址: lich@xmu.edu.cn;  jzyu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang H;  Zhu HL;  Jia LH;  Chen XF;  Li JS;  Wang W;  Wang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: whuan21@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen DY;  Wei DY;  Xu J;  Han PG;  Wang X;  Ma ZY;  Chen KJ;  Shi WH;  Wang QM;  Xu, J, Nanjing Univ, Natl Lab Solid State Microstruct, Nanjing 210093, Peoples R China. 电子邮箱地址: junxu@nju.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, XL;  Chen, TS;  Xiao, HL;  Wang, CM;  Hu, GX;  Luo, WJ;  Tang, J;  Guo, LC;  Li, JM;  Luo, WJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: luoweijun@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen DY;  Wang X;  Wei DY;  Wang T;  Xu J;  Ma ZY;  Li W;  Chen KJ;  Shi WH;  Wang QM;  Xu, J, Nanjing Univ, Natl Lab Solid State Microstruct, Nanjing 210093, Peoples R China. 电子邮箱地址: junxu@nju.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma, P;  Gai, YQ;  Wang, JX;  Yang, FH;  Zeng, YP;  Li, JM;  Li, JB;  Ma, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Int Cooperat Base Solid State Lighting, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yqgai@semi.ac.cn;  jbli@semi.ac.cn
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High epitaxial growth rate of 4H-SiC using TCS as silicon precursor 会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:  Ji, G;  Sun, GS;  Ning, J;  Liu, XF;  Zhao, YM;  Wang, L;  Zhao, WS;  Zeng, YP;  Ji, G, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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