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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
Zhang LZ
;
Cao Q
;
Zuo YH
;
Xue CL
;
Cheng BW
;
Wang QM
;
Zhang, LZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. zhang.labs@gmail.com
;
pobakey@semi.ac.cn
;
yhzuo@semi.ac.cn
;
clxue@semi.ac.cn
;
cbw@semi.ac.cn
;
qmwang@semi.ac.cn
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun GS (Sun Guo-Sheng)
;
Liu XF (Liu Xing-Fang)
;
Wang L (Wang Lei)
;
Zhao WS (Zhao Wan-Shun)
;
Yang T (Yang Ting)
;
Wu HL (Wu Hai-Lei)
;
Yan GG (Yan Guo-Guo)
;
Zhao YM (Zhao Yong-Mei)
;
Ning J (Ning Jin)
;
Zeng YP (Zeng Yi-Ping)
;
Li JM (Li Jin-Min)
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浏览/下载:1067/314
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提交时间:2010/09/07
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen T
;
Hong T
;
Pan JQ
;
Chen WX
;
Cheng YB
;
Wang Y
;
Ma XB
;
Liu WL
;
Zhao LJ
;
Ran GZ
;
Wang W
;
Qin GG
;
Chen T Peking Univ State Key Lab Mesoscop Phys Beijing 100871 Peoples R China. E-mail Address: rangz@pku.edu.cn
;
qingg@pku.edu.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao HQ (Zhao Hong-Quan)
;
Yu LJ (Yu Li-Juan)
;
Huang YZ (Huang Yong-Zhen)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Zhao, HQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhggeneral@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
Shallow donor defect formation and its influence on semi-insulating indium phosphide after high temperature annealing with long duration
会议论文
SMIC-XIII2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:
Zhao, YW
;
Dong, ZY
;
Zhang, YH
;
Li, CJ
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Deep-level Defects
Fe-doped Inp
Grown Inp
Spectroscopy
Resonance
Wafer
Design of high brightness cubic-GaN LEDs grown on GaAs substrate
会议论文
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 42, SEOUL, SOUTH KOREA, AUG 20-23, 2002
作者:
Sun YP
;
Shen XM
;
Zhang ZH
;
Zhao DG
;
Feng ZH
;
Fu Y
;
Zhang SN
;
Yang H
;
Sun YP Chinese Acad Sci State Key Lab Integrated Optoelect Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Wafer Bunding
Cubic Gan
Light-emitting-diodes
Field-effect Transistor
Single-crystal Gan
Microwave Performance
Mirror
Junction
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun YP
;
Shen XM
;
Zhang ZH
;
Zhao DG
;
Feng ZH
;
Fu Y
;
Zhang SN
;
Yang H
;
Sun YP,Chinese Acad Sci,State Key Lab Integrated Optoelect,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Dong HW
;
Zhao YW
;
Zeng YP
;
Jiao JH
;
Li JM
;
Lin LY
;
Dong HW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Dong HW
;
Zhao YW
;
Jiao JH
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
;
Dong HW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:1229/572
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Dong HW
;
Zhao YW
;
Zhang YH
;
Jiao JH
;
Zhao JQ
;
Lin LY
;
Dong HW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12